在技術(shù)領(lǐng)域,2020年也同樣是不平凡的一年,5G開始走向市場,給很多新的領(lǐng)域帶來新的發(fā)展動力,量子計(jì)算初露鋒芒,為未來先進(jìn)科技提供無數(shù)種可能,自動駕駛在滿足了大家好奇心的同時穩(wěn)步前進(jìn),當(dāng)然還有許多,2020年好似在為未來的高科技生活打開一條通道,讓人充滿想象。
但我們今天要講的話題,
不是5G,
也不是量子計(jì)算,
而是氮化鎵。
2020年度收官之際,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年度十大科技趨勢,氮化鎵和碳化硅一起作為第三代半導(dǎo)體就位列其中,并且名列前茅。
嚴(yán)格來說,氮化鎵不是一門技術(shù),而是一種材料,或者從另外的角度講,是一種器件。
雖然之前氮化鎵在半導(dǎo)體市場已經(jīng)小有名氣,但是讓氮化鎵在2020年火到走進(jìn)大眾視野,還是要多虧了雷總,以至于現(xiàn)在大家提起氮化鎵,總會聯(lián)想到充電器。就在最近一周左右,據(jù)外媒報道,蘋果也即將加入到氮化鎵充電技術(shù)隊(duì)伍中,足見其熱度。
氮化鎵的禁帶寬度為3.39電子伏特, 傳統(tǒng)的硅只有1.12電子伏特,因此氮化鎵也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,或者第三代半導(dǎo)體材料,禁帶越寬,說明價電子需要躍遷為自由電子的“代價”就越高,進(jìn)一步解釋,即寬禁帶半導(dǎo)體的耐壓能力更強(qiáng)。
*禁帶含義:固體中電子的能量具有不連續(xù)的量值,電子都分布在一些相互之間不連續(xù)的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實(shí)際上反映了被束縛的價電子要成為自由電子所必須額外獲得的能量。
除了耐壓高,相比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料,氮化鎵功耗更低,效率高,體積也小(這也是為什么充電器在保證高功率的同時也可以越做越小的原因)。關(guān)于氮化鎵和硅器件的 ,我們之前在公眾號中也做過 ,可以參考:
這樣具有“小身材,大能量”的氮化鎵,它的理想肯定不只是作為充電器,實(shí)際上氮化鎵作為功率器件,在電動汽車,光伏發(fā)電,數(shù)據(jù)中心等方向應(yīng)用都有非常好的應(yīng)用前景。
除此以外,氮化鎵在射頻微波領(lǐng)域,在航空航天,微波雷達(dá),衛(wèi)星通信,5G通信方向也有非常大的優(yōu)勢;
頻譜范圍寬的它在激光器的應(yīng)用上也是寵兒,目前氮化鎵在該相關(guān)領(lǐng)域,例如遠(yuǎn)程通信的應(yīng)用上也在進(jìn)行研究。
挑戰(zhàn)1 寄生電感
由于氮化鎵有很高的開關(guān)速度,所以整個電路對于寄生電感特別敏感,nH級別的寄生電感都可能造成器件的振蕩,別說測試誤差,正常工作都困難,因此在對器件進(jìn)行表征時,對整個測試系統(tǒng)的電感要求非常高,同時測試夾具引入的寄生電感也要盡量小。
挑戰(zhàn)2 高帶寬
氮化鎵本身具有高帶寬的特點(diǎn),為了保證測試能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行,氮化鎵器件電流測試時要求滿足其高帶寬的要求,這就對電流測試探頭提出了條件,同時,探頭也必須要滿足低電感的要求。
挑戰(zhàn)3? 多樣性
氮化鎵本身有多種FET類型,包括Cascode,GIT,eHEMT,Vertical GaN,對于這四者的區(qū)別,大家可參考下表。
從上表可以看出,這四種類型不僅各項(xiàng)參數(shù)有差別,對驅(qū)動的要求不一樣,除此之外就算采用相同技術(shù)的GaN封裝形式才千差萬別,這給測試夾具的設(shè)計(jì)帶來了更大的挑戰(zhàn)。
總結(jié)一下,如果想要正確的表征氮化鎵器件,需要解決上述挑戰(zhàn),你將會需要:
一個基于不同封裝高度定制化的測試板:不用焊接的器件連接達(dá)到和焊接相同的性能 +?一個寄生電感極小的測試系統(tǒng):功率回路總寄生電感小于5nH +?一個高帶寬低插入電感的電流探頭:測試帶寬大于300MHz,寄生電感低于1nH +?一個可以測試動態(tài)電阻的測試系統(tǒng):支持Vds(on)鉗位測試,自動測試動態(tài)電阻
那我們來看看他們大致長什么樣子?
測試板實(shí)物圖
PD1500A半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)分析儀
整套系統(tǒng)不僅能夠解決上述挑戰(zhàn),還采用了新開發(fā)的無焊接接觸技術(shù),同時還可以實(shí)現(xiàn)自動檢測和可重復(fù)測試等。
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